Беседа восьмая продолжение 3

Условия насыщения

Н. — Прежде чем заняться делением частоты, я хотел бы задать один вопрос. Ты сказал, что транзисторы Тг и Т2 находятся в состоянии насыщения, когда работают. Я тебе верю, но хотел бы знать, почему.

Л. — Задавая этот вопрос, ты абсолютно прав. Предположим, например, что сейчас ток проводит транзистор Т1. Ток его базы проходит через резистор R3. Потенциал базы почти равен потенциалу эмиттера, как это бывает в любом не запертом транзисторе. Следовательно, падение напряжения на резисторе R3 практически равно Е. Значит, протекающий по этому резистору ток, т. е. ток базы транзистора приблизительно равен
E/R3,

Кроме того, если этот транзистор находится в состоянии насыщения, потенциал его коллектора практически равен нулю, а ток коллектора приблизительно равен E/R1.
Поэтому для выполнения условия насыщения достаточно иметь такой коэффициент усиления транзистора по току (который мы обозначаем буквой Р), чтобы произведение тока базы E/R3 на Р было больше максимального тока, который сможет
пропустить коллектор, т. е. E/R3*B больше E/R2 . Возьмем для наглядности
числовой пример. Пусть коэффициент усиления транзистора по току Р = 30. Тогда для выполнения условия насыщения произведение 30Е/R3 должно быть больше E/R1 для чего достаточно,
чтобы сопротивление резистора R3 было меньше 30R1

Н. — До сих пор я внимательно следил за тобой, но имеется еще один момент: ты пренебрегаешь токами, которые могут поступать или уходить с баз или коллекторов вследствие зарядов или разрядов конденсаторов.

Л. — Они только упорядочивают работу схемы. Например, когда конденсатор С1 заряжается через резистор R2, зарядный ток прибавляется к току, поступающему на базу транзистора Т1 через резистор R3. Как ты видишь, он просто улучшит положение.

Синхронизация

Л. —А теперь я воспользуюсь диодом Д1 который до сих пор оставался без дела, чтобы подать на коллектор T1 отрицательный импульс из точки А через конденсатор С3.

Н. — А какую роль играет резистор R5?

Л. — Этот резистор просто-напросто устанавливает средний потенциал* катода диода Д1 на уровне Е. Поэтому диод Д1 может проводить ток только при запертом транзисторе Т1 (потому что это повышает потенциал коллектора транзистора Т1 и потенциал анода диода до уровня Е), когда катод этого диода стал отрицательным под воздействием поступающего через конденсатор С3 импульса.

Н. — Но это ужасно! Если ты таким образом подашь импульс на коллектор транзистора Т1, то полностью нарушишь работу схемы!

Л. —Должен признаться, что именно это я и намерен сделать. Предположим, например, что мультивибратор имеет тенденцию работать с частотой повторения 100 гц. Подадим ему в точку А отрицательные импульсы с частотой 330 гц. Предположим для начала, что первое срабатывание мультивибратора, совпадающее с резким падением потенциала на коллекторе транзистора Т1 произойдет точно в момент поступления импульса в точку А.

Есть все основания полагать, что, когда в точку А придет следующий импульс, транзистор Т1 еще будет в состоянии насыщения. Поэтому приложенный на катод диода импульс не будет передан. Следующий импульс может застать транзистор Т1 в состоянии насыщения и также не вызовет никакого результата. Третий импульс придет в момент, когда мультивибратор вот-вот самопроизвольно опрокинется; Т1 еще заперт, а база транзистора Т2 почти готова открыться. Этот третий импульс опрокинет мультивибратор на какое-то мгновение раньше, чем он сделал бы это сам. Три периода сигнала с частотой 330 гц занимают времени чуть меньше одной сотой доли секунды. Через три следующих импульса картина повторится во всех мельчайших подробностях; поступивший в точку А импульс вызовет опрокидывание мультивибратора немного раньше положенного ему срока. Таким образом наш мультивибратор станет работать несколько быстрее, чем если бы ему предоставили полную свободу действий. Он станет давать сигналы с частотой 110 гц, т. е. с частотой, ровно в 3 раза меньшей приложенной (рис. 80).

Н. — Ну, с этим я не согласен. В первый раз, когда мы применением грубой силы заставим мультивибратор сработать преждевременно, неизбежно произойдет какая-то деформация

синхронизирующие импульсы

Рис. 80. Подаваемые в точку А синхронизирующие импульсы вызывают опрокидывание мультивибратора несколько раньше момента его самопроизвольного опрокидывания. В результате мультивибратор дает сигналы с частотой в 3 раза ниже частоты
подаваемых в точку А синхронизирующих импульсов.

мультивибратора. При повторном проявлении насилия следующая деформация наложится на первую. И через два или три периода мультивибратор вообще откажется подчиняться.

Л. — Как раз нет, Незнайкин. Мультивибратор не обладает памятью. Каждый раз после срабатывания как самопроизвольного, так и вызванного внешним импульсом, мультивибратор оказывается в строго определенном состоянии, которое не зависит от вызвавшей его опрокидывание причины.

Н. — Если я правильно понял, твой мультивибратор не помнит зла.

Л. — Радиоэлектроника не располагает средствами психоанализа, которые позволили бы определить настроение мультивибраторов: Говоря проще на языке техники, они не имеют запоминающего устройства. Впрочем, это очень полезное для нас свойство.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
septilos.ru
Adblock
detector